骁龙778是高通发布的一款全新的中端处理器，是骁龙780G的稍阉割版，目前由荣耀50系列首发并短暂独占。

他的综合性能基本等同于低功耗版的骁龙855，也就是刚好达到了两年前旗舰处理器的水平，符合高通中端处理器的一贯尿性（当代中端和两年前旗舰的性能相当，功耗更好一些），相比于前代的骁龙765G提升明显，但是相比于当代的旗舰处理器骁龙870，骁龙888，天玑1100/1200和麒麟9000等，差距还是比较明显的，我们来做一个比较详细的对比：

项目一：工艺&功耗

骁龙778：台积电6nm 峰值功耗4W左右

天玑1100/1200：台积电6nm 峰值功耗 4.5W左右

骁龙888：三星5nm 峰值功耗 8.5W左右

骁龙778在工艺方面的表现还是很不错的，采用的是台积电的6nm工艺，台积电的6nm工艺实际上是三星7nm工艺的改进款，多了一层EUV工艺，芯片密度提升了18%，功耗降低8%，其实大家可以把它当作是台积电的7nm+EUV工艺（也就是用在麒麟990 5G和A13系列芯片上的工艺水准）。

这个工艺虽然比不上台积电的5nm工艺，但是相比于三星目前的“漏电王”5nm的表现估计是半斤八两的，否则的话高通也不至于舍近求远把骁龙778交给台积电去代工了。

等同于骁龙855的性能用上了7nm+EUV的工艺，骁龙778的功耗水平确实比较出色，这一点我们在其大哥骁龙780G的功耗测试上就能够看出，GPU峰值功耗只有3.46W，低于骁龙865的3.91W，远远低于骁龙888的8.4W的可怕功耗，不过还是高于骁龙765G的功耗水平。

总之，骁龙778G在功耗方面延续了此前7系列的优良传统，对于手机的续航压力会小很多。

项目二：CPU性能

骁龙778：Cortex A78 2.4Ghz超大核心+三颗Cortex A78 2.2Ghz大核心+4颗A55 1.9Ghz小核心，三从集式架构，主频不高。

天玑1100/1200：4×Cortex A78 2.6Ghz+4×Cortex A55 2.0Ghz，传统的4+4模式，四颗大核心+四颗小核心。

骁龙888：1×Cortex X1 2.84GHz+3×A78 2.4GHz+4×A55 1.8GHz，三从集式架构，一颗Cortex X1大核心的主频达到了2.84Ghz，三颗A78核心的主频倒不算太高。

从上述的参数大家应该及很容易看出骁龙778G的CPU架构和其他两款旗舰芯片的差距了，主要差距体现在大核的频率方面，具体我们来看跑分：

骁龙778G：单核心786，多核心2900

天玑1100：单核心865↑12%，多核心3058↑10%

骁龙888：单核心1134↑35%，多核心3769↑35%

从跑分上来看，骁龙778G相比于当代的旗舰处理器的差距还是非常明显的，尤其是和自家老大哥骁龙888相比，差距在30%以上。

项目三：GPU

因为在GPU方面各家采用的内核都不太一样，高同时Adreno系列GPU，自主研发；二联发科采用的则是ARM提供的Mail内核，，两个内核之间无法做验证，所以我们直接跑个分：（曼哈顿3.1）

骁龙778G：56帧

天玑1100：83帧

骁龙888：119帧

高端处理器和中端处理器的差别一般都会在GPU层面体现得比较明显，这一次也不例外，骁龙888的GPU性能几乎是骁龙778的两倍以上，差距较大，就算他和目前联发科的天玑1100系列芯片相比差距也是比较明显的，

项目四：闪存运存支持情况

骁龙778G：UFS3.1+LPDDR5 3200mHZ

天玑1100：UFS3.1+LPDDR4X 2133Mhz

骁龙888：UFS3.1+LPDDR5 3200mHZ

在闪运存的支持层面，骁龙778G的表现不错，支持UFS3.1和LPDDR5，不过考虑到成本和定位的问题，手机厂商给骁龙778配UFS3.1+LPDDR5的概率不大。

至于基带，ISP，NPU等模块对于普通用户的影响比较小，所以也就不再详细罗列，总的来讲，骁龙778G的实际性能略弱于骁龙855，和目前市面上的旗舰处理器差别较为明显，尤其是在GPU层面差距更是巨大，不可同日而语，它更多地是担负起替换骁龙765G的重任，未来肯定会慢慢进入千元市场。